TECHCET: Logikgeräte unter 7nm haben das Wachstum globaler ALD/CVD-Vorläufer stark vorangetrieben
Das Beratungsunternehmen für Halbleiterelektronik TECHCET berichtete, dass der Gesamtmarktwert von ALD/CVD-Vorläufern in 2021 um 21% auf $1,39 Milliarden gestiegen ist und voraussichtlich in 2022 um 12% steigen wird. Der Vorläufermarkt in 2022 wird 1,56 Milliarden US Dollar übersteigen, angetrieben durch eine Zunahme der Produktion von Logikgeräten kleiner als 7nm und eine Zunahme der Stapelschichten von 3DNAND-Geräten, was zu einem starken Gesamtwachstum der Industrie führt. Der Übergang von der DRAM-Fertigung zur EUV-Lithographie wird auch Chancen für höhere Vorläufereinnahmen bieten.
Das Beratungsunternehmen für Halbleiterelektronik TECHCET berichtete, dass der Gesamtmarktwert von ALD/CVD-Vorläufern in 2021 um 21% auf $1,39 Milliarden gestiegen ist und voraussichtlich in 2022 um 12% steigen wird. Der Vorläufermarkt in 2022 wird 1,56 Milliarden US Dollar übersteigen, angetrieben durch eine Zunahme der Produktion von Logikgeräten kleiner als 7nm und eine Zunahme der Stapelschichten von 3DNAND-Geräten, was zu einem starken Gesamtwachstum der Industrie führt. Der Übergang von der DRAM-Fertigung zur EUV-Lithographie wird auch Chancen für höhere Vorläufereinnahmen bieten.
Jonas Sundqvist, Senior Technical Analyst bei TECHCET, sagte: "ALD und CVD sind eine segmentierte Industrie mit reichen Materialien und chemischen Zusammensetzung, mit erheblichen Entwicklungsanstrengungen, starken Wachstumsaussichten und einer starken Nachfrage nach neuen Materialien. Neue Fertigungslösungen, die sowohl Kosten als auch Leistung erfüllen, werden auf ALD-Vorläufermaterialien basieren.
Neue Materialien und damit verbundene Prozesstechnologien werden durch Veränderungen im Gerätedesign vorangetrieben. Für fortgeschrittene Logik benötigen Transistoren neue Vorläufer, um unter anderem High k Gate Dielektriken und Metall Gate Materialien zu bilden.
DRAM Speichereinheiten verfolgen weiterhin Kondensatoren mit höherem k Wert. Und fortschrittliche Geräte erfordern verbesserte Verbindungsverdrahtung, Isolatoren und neue oder mehr Medien, um EUV und fortschrittliche ArF-Lithographie zu unterstützen.
Durch die kontinuierliche Skalierung der Materialgrößen, insbesondere neuer Materialien, die von ALD deponiert werden, bestehen nach wie vor neue Herausforderungen. In den vergangenen fünf Jahren ist die regionale selektive Deposition zum Trend geworden, und immer mehr Forschungs- und Entwicklungseinrichtungen wenden diese Methode auf zukünftige Geräte an.